半导体技术

　　《半导体技术》简介

　　《半导体技术》(月刊)1976年创刊，以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。"向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场，提供技术成果展示、转化和技术交流的平台，达到了促进我国半导体技术不断发展的目的"是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。趋势与展望：全面阐述半导体技术与应用的发展趋势;专题报道：每期就设计、生产、应用等企业关注的热门技术及焦点论题，进行有深度、广度的全面剖析;器件制造与应用：半导体器件的设计和制造及在各种领域中的应用;工艺技术与材料：介绍最新的半导体技术制作工艺和该领域用的新材料;集成电路设计与开发：各种IC的设计和应用技术、设计工具及发展动向;封装、测试与设备：介绍器件、芯片、电路的测试、设备和封装的前沿技术;MEMS技术：现代管理：半导体代工厂、洁净厂房、半导体用水及气体、化学品，等管理技术;综合新闻：及时发布世界各地半导体最新产品及技术信息。《半导体技术》的稿件来源于全国各主要研究机构、大专院校和企事业单位等。《半导体技术》主管单位：信息产业部，主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所，国内统一刊号：13-1109/TN，国际标准刊号：1003-353X

　　《半导体技术》栏目设置

　　趋势与展望、专题报道、应用长廊、设计与开发、支撑技术、新品推荐。

　　2016 年01期《半导体技术》杂志论文目录表：

　　GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率 ……………………………………张李骊;刘战辉;钟霞;修向前;张荣;谢自力;

　　电子束辐照GaN基LED的能量沉积研究 ……………………………………牛萍娟;吴英蕾;于莉媛;朱文睿;薛卫芳;

　　TSV三维集成的缺陷检测技术 ……………………………………陈鹏飞;宿磊;独莉;廖广兰;史铁林;

　　新型无损IGBT短路耐性测试电路 ……………………………………黄建伟;刘国友;余伟;罗海辉;朱利恒;覃荣震;

　　用热反射测温技术测量GaNHEMT的瞬态温度…………………………………… 翟玉卫;梁法国;郑世棋;刘岩;李盈慧;

　　《半导体技术》投稿须知

　　1.内容：立意新颖，观点明确，内容充实，论证严密，语言精炼，资料可靠，能及时反映所研究领域的最新成果。本刊尤为欢迎有新观点、新方法、新视角的稿件和专家稿件。

　　2.格式必备与顺序：标题、作者、作者单位、摘要、关键词、正文、注释或参考文献。篇幅以2200-8800字为宜。2200字左右为1个版面。

　　3.请在来稿末尾附上作者详细通讯地址。包括：收件人所在地的省、市、区、街道名称、邮政编码、联系电话、电子信箱、代收人的姓名以及本人要求等，务必准确。论文有图表的，请保证图片和表格的清晰，能和文字对应。

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